科技日报北京7月17日电（记者刘霞）据美国意见意义科学消息网16日报导，来自美国麻省理工学院、美国陆军作战威力成长司令部（DEVCOM）陆军研究试验室以及加拿年夜渥太华年夜学等机构的科学家，哄骗名为三元���石英的晶体质料，乐成研制出一种新型超薄晶体薄膜半导体。薄膜厚度仅100纳米，约为人头发丝直径的千分之一。此中电子的迁徙速率创下新纪录，约为传统半导体的7倍。这一结果有助科学家研制新型高效电子装备。相干论文揭晓在《今日质料物理学》杂志。

研究论文通信作者、麻省理工学院的贾加迪什 穆德拉指出，他们经由过程份子束外延历程打造出了这款薄膜半导体。该历程需要切确节制份子束，逐个原子地构建质料，如许得到的质料瑕疵最小起码，从而实现更高的电子迁徙率。

研究职员向这类薄膜半导体施加电流时，记载到电子以10000平方厘米/伏秒的破纪录速率迁徙。比拟之下，于尺度硅半导体内，电子的迁徙速率凡是约为1400平方厘米/伏秒；于传统铜线中则更慢。

研究职员将这类薄膜半导体比作“不堵车的高速公路”，以为这有助在研制更高效、更可连续的电子装备，如自旋电子装备以及可将废热转化为电能的可穿着热电装备。

研究团队指出，纵然质料中最微小的瑕疵也会拦阻电子运动，从而影响电子迁徙率。他们但愿进一步革新建造历程，让薄膜变患上更纤薄，从而更好地运用在将来的自旋电子装备以及可穿着热电装备。