江南我国科学家首次实现可逆电流调控拓扑磁转变—新闻—科学网
时间：2024-04-08 14:12:02 已阅读:77次
科技日报合肥8月18日电（记者 吴长锋）记者从中科院合肥物资科学研究院获悉，该院强磁场中央科研团队于电操控新型磁布局动力学研究中取患上新进展，初次实现了可逆电流调控拓扑磁改变。相干结果论文日前揭晓于《进步前辈质料》上。
拓扑磁性是研究磁性质料中自旋的总体摆列于空间具备某些稳定性的学科。具备差别拓扑荷的磁布局不成以经由过程磁矩持续转换实现彼此转换，是以具备拓扑掩护特征。于某种中央对于称晶体纳米布局中，存于两类局域磁布局：拓扑荷为1的斯格明子磁泡（简称斯格明子）以及拓扑荷为0的平淡磁泡。因为磁斯格明子与磁泡的拓扑荷差别，是以它们于电流驱动下的动力学如斯格明子霍尔效应以及电探测下的拓扑霍尔效应彻底差别。假如它们同时作为器件的信息载体，无望富厚拓扑磁电子学器件的设计。 于前期研究中，研究团队实现了纳米盘中单斯格明子-磁泡之间的拓扑磁改变。两类磁状况间的拓扑磁改变可以用在器件的写入以及删除了等功效，但磁场要领不兼容在电子学器件，还需要进一步开发电学要领操控拓扑磁改变。 为此，科研职员哄骗聚焦离子束技能制备了纳米条带电学微器件，哄骗先期自立开发的透射电镜原位加电丈量体系，研究了纳秒脉冲电流驱动下的原位及时磁动力学举动。研究发明：于必然歪斜磁场前提下，磁斯格明子以及磁泡均为不变磁相，经由过程切换纳秒脉冲电流的幅度，磁斯格明子晶格以及平淡的磁泡晶格之间可实现高度可逆的拓扑磁改变。微磁学计较模仿����APP注解，磁泡到斯格明子改变以及斯格明子到磁泡改变，可以别离归因在电流的自扭转移力矩效应以及焦耳热效应。 这类高度可反复且可逆的斯格明子-磁泡以及斯格明子-条纹畴的拓扑磁改变，无望鞭策将来靠得住、低能耗以及高效率的拓扑自旋电子学器件的开发。 出格声明：本文转载仅仅是出在流传信息的需要，其实不象征着代表本消息网不雅点或者证明其内容的真实性；如其他媒体、消息网或者小我私家从本消息网转载使用，须保留本消息网注明的 来历 ，并自大版权等法令义务；作者假如不但愿被转载或者者接洽转载稿费等事宜，请与咱们联系。/江南